基于硅衬底的低温定向生长ZnO纳米线阵列及其场发射研究

本项目以热蒸发生长技术在低温下大面积制备基于硅衬底图形化的ZnO纳米线阵列，通过改变蒸发源的成份和配比、反应温度、反应时间、反应气体和输运气体的气流量、掺杂条件和硅衬底类型等，得到垂直定向生长的具有不同形貌、不同尺寸的ZnO纳米线。使用有效的计算工具和方法，对大量的实验结果进行优化分析，并给出合理的理论解释。另外，借助对催化剂或衬底表面结构的图形化，使ZnO纳米线图形化。研究这种图形化ZnO阵列的场发射性能和机理，探索和开发其在平板显示器件应用上的潜力和实用途径，有望获得理想的场发射冷阴极材料，并为其走向实用化提供可靠的理论和实验依据。