稳定优质的p型ZnO可控生长与同质ZnO-LED电致发光
基本信息
批准号：50532060
项目类别：重点项目
资助金额：200.00
负责人：叶志镇
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2005
结题年份：2009
起止时间：2006-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：朱丽萍,黄靖云,季振国,何海平,张绳百,张孝彬,沙健,汪雷,郭冰
关键词：
量子阱多层结构氧化锌p型掺杂发光二极管MOCVD技术
结项摘要
采用高频等离子N离化的MOCVD方法，结合微量共掺技术，开展在体单晶n-ZnO上生长高质量同质ZnO外延层研究，同时研究并实现稳定的高浓度、高迁移率的p型ZnO可控制备；研究ZnO中杂质与缺陷的行为、相互作用与控制规律；根据半导体理论，研究与设计高效ZnO基LED新型结构，由MOCVD技术在ZnO单晶上生长ZnO/ZnMgO多层量子阱结构，研究ZnO中的电子空穴输运机制和激发、复合过程的机理并加以
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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