δ掺杂Si半导体微结构的同步辐射研究

利用同步辐射X射线反射率实验技术，测量、研究了Sb原子和Er原子在分子束外延过程中的偏析行为。结果表明在较低下Sb原子仍有较强的表面偏析，用杂质原子高的覆盖度将引起表面结构的变化、从而引起表面偏析能的改变解释了表面偏析变强的实验现象；发现Er在Si中的偏析是动力学限制过程，并测量子激活能；对δ掺杂晶体热退火扩散行为的研究表明：掺Sb原子的晶体直到500℃下退火30分钟，仍保持原子的分布形式及结构稳定；600℃温度下退火30分钟后，晶体中的Sb原子分布由原来的单边指数衰减分布变成为不对称的高斯分布；X射线驻波实验表明，衬底缓冲层材料的结构完整性对掺杂原子在Si晶体中的占位情况有很大影响。