碳纳米管场效应器件制造技术基础研究
基本信息
批准号：60576064
项目类别：面上项目
资助金额：7.00
负责人：张亚非
学科分类：
依托单位：上海交通大学
批准年份：2005
结题年份：2006
起止时间：2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：蒋建飞,覃文,谢立平,刘丽月,姚锦元,曹夏林,张雄泉,陈长鑫,鲁杨
关键词：
碳纳米管场效应晶体管制造技术同轴环绕栅集成电路
结项摘要
本项目基于碳纳米管（CNT）的优异特性，研究制作具有高迁移率和高跨导传输沟道的CNT纳米场效应管（CNTFET）和逻辑集成电路单元（主要包括：倒相器、非门和静态存储器SRAM）。CNTFET的制造采用微纳米加工技术相结合的方法，电极部分利用超精细光刻工艺制作，传输沟道以半导体性质的CNT构成。我们在探索了高质量CNT大量制备和半导体性CNT与金属性CNT的分离选取又进行了CNT操纵加工等预研工作的
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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