新型铁电薄膜及其铁电半导体场效应器件基础研究

基本信息
批准号:69476017
项目类别:面上项目
资助金额:12.00
负责人:汤庭鳌
学科分类:
依托单位:复旦大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李楚容,刘冬梅,于伟峰,陈政
关键词:
铁电场效应界面特性铁电薄膜
结项摘要

研究了用SOL-GEL方法生长铁电薄膜的技术。研究了材料组分,烧结和退火温度等对铁电薄膜特性的影响,得到良好的铁电电滞回线,剩余极化强度达到20μC/cm(2),漏电流为10(9)-10(10)/cm(2)。研究了铁电薄膜电容的金属电极材料,选择钛和铂作为电极材料,并探索了一整套制备铁电薄膜电容的工艺,包括铁电薄膜,铂,钛等的反应离子刻蚀技术。探索了PZT在不挥发存储器中的应用,解剖了国外样管,验证了存储器电路,设计了铁电不挥发存储器试验版图(由12块光刻版构成)为今后研制FRAM打下了基础。钛酸钡薄膜作为铁电材料,试验了MFS晶体管结构,测试了它的高频C-V特性,得到存储窗口△V=0.82V。在国内刊物等发表论文9篇。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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