硅化铁复合纳米结构的设计及其发光特性研究

发展光电子集成是人们长期的梦想。1990年多孔硅室温可见光的发现展示了采用半导体纳米材料实现硅基光电子集成的可能性，此后，随着深入的研究，发现多孔硅还存在着一些缺点，譬如，它的结构和发光特性不稳定，不易获得蓝光发射等，因此克服多孔硅的缺点，寻求结构和发光特性稳定的半导体纳米结构是当今半导体材料物理领域中的一个研究热点。本项目采用高能Fe 离子注入和高温退火的办法，在硅片上形成FeSi2层，然后用电化学腐蚀制备FeSi2 和Si 纳米颗粒的复合体。在化学回馏后去除硅晶粒和剩下纳米FeSi2 颗粒，然后用偶联剂将C60 连接到FeSi2 颗粒上形成C60 偶联的FeSi2 纳米结构。借助于多种微结构和光谱分析研究手段系统地探索这种FeSi2纳米颗粒及其纳米复合结构的光激发和光发射特性，并从理论上揭示出产生光发射现象的本质，寻求在光学器件上的应用。