电化学间接超精细抛光新技术的研究

利用约束刻蚀剂层技术（CELT）的原理，实现了电化学间接技术对半导体材料的超精细抛光。探索了几种电化学平整模板的制作工艺及性质。采用NaOH中和在O-IV恒电位条件下制得的TiO2膜电极性质稳定，光电转换效率高，且表面平整。采用钛酸乙酯热分解法制得TiO2薄膜，其表面颗粒直径在50纳米左右。并表现出纳米颗粒独特的光电化学特性。对刻蚀体系的详细研究表明，在对半导体硅进行抛光时，溴/亚砷酸体系较为全适；而对于砷化镓，溴/丙烯酸体系效果最好。与哈尔滨工业大学合作研制了新一代的CELT技少加工装置。对硅和砷化镓的电化学抛光工艺进行了研究。抛光前后硅的表面粗糙度Ra值分别为30.6nm和4.1nm;砷化镓分别为18.1nm和0.7nm。