半导体材料表面超精细抛光新技术研究
基本信息
批准号：60076002
项目类别：面上项目
资助金额：17.00
负责人：孙建军
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：蒋利民,颜佳伟,黄海苟,张玉龙
关键词：
超精细抛光约束刻蚀剂层技术半导体材料
结项摘要
拟利用约束刻蚀剂层(CELT)的原理,研究出对半导体材料表面进行超精细抛光的新方法和新ひ?以满足制造超高速微芯片等的需要.着重研究纳米级超平整膜板的制备方法,筛选出合适的电化学抛光体系,从小面积抛光开始,最终研制出符合将来微电子工艺对半导体材料表面粗糙度要求的切适可行的抛光新技术.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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