高保持力非易失性铁电场效应晶体管特性研究

制备低界面态、低漏电流的高质量MF（I）S集成铁电薄膜，设计制备低漏导电流（≤10负9畏紸/cm2）、高保持力（一个月以上）、具有一定存储能力的非破坏性读出Si基铁电场效应晶体管器件原型。系统研究铁电多层膜结构特性与漏电流、保持力以及疲劳特性的内在关系。探索提高非破坏性读出铁电存储器性能及实现实用化的关键技术途经。