一种新型的的平板显示材料(GaN:RE)的研究
基本信息
批准号：60576004
项目类别：面上项目
资助金额：7.00
负责人：陈维德
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2005
结题年份：2006
起止时间：2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：朱勤生,刁宏伟,张春光,卞留芳
关键词：
发光稀土材料平板显示磁控溅射
结项摘要
与目前利用AlGaN/InGaN实现三色不同，掺稀土GaN在同一基片不仅可发红，绿，蓝等可见光，而且可发近红外光。它的独特的发光特性在平板显示，光通信，电子产品，军事，医学等领域有重要的潜在应用而引起人们极大兴趣和重视。近年来发展起来的掺稀土GaN薄膜电致发光材料克服了液晶的不足，可望成为一种新的最有前途的平板显示材料。我们拟采用磁控溅射的方法进行GaN原位生长和稀土掺杂研究，并研制出可见或近红外
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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