一种新型的的平板显示材料(GaN:RE)的研究

基本信息
批准号:60576004
项目类别:面上项目
资助金额:7.00
负责人:陈维德
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2005
结题年份:2006
起止时间:2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:朱勤生,刁宏伟,张春光,卞留芳
关键词:
发光稀土材料平板显示磁控溅射
结项摘要

与目前利用AlGaN/InGaN实现三色不同,掺稀土GaN在同一基片不仅可发红,绿,蓝等可见光,而且可发近红外光。它的独特的发光特性在平板显示,光通信,电子产品,军事,医学等领域有重要的潜在应用而引起人们极大兴趣和重视。近年来发展起来的掺稀土GaN薄膜电致发光材料克服了液晶的不足,可望成为一种新的最有前途的平板显示材料。我们拟采用磁控溅射的方法进行GaN原位生长和稀土掺杂研究,并研制出可见或近红外

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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