采用离子注入、内扩散、原位掺杂等方法制备掺稀土GaN样品,利用光荧光和红外光谱测量发光强度。研究不同掺杂方法对发光特性的影响。研究掺稀土GaN薄膜的局域结构和能量疏运机理。提出提高掺稀土GaN发光强度的途径。掺稀土GaN的研究具有重要的意义。在同一衬底有可能发出不同颜色的光,又有非常好的高稳特性。可望使下一代光电集成简单化。
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数据更新时间:2023-05-31
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