掺铒GaN发光特性的研究

基本信息
批准号:60176025
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:陈维德
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:2001
结题年份:2004
起止时间:2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:朱建军,王永谦,陈长勇,万冬云,刁宏伟,孙殿照,杨辉
关键词:
稀土Er发光GaN
结项摘要

采用离子注入、内扩散、原位掺杂等方法制备掺稀土GaN样品,利用光荧光和红外光谱测量发光强度。研究不同掺杂方法对发光特性的影响。研究掺稀土GaN薄膜的局域结构和能量疏运机理。提出提高掺稀土GaN发光强度的途径。掺稀土GaN的研究具有重要的意义。在同一衬底有可能发出不同颜色的光,又有非常好的高稳特性。可望使下一代光电集成简单化。

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

REO-SiO_2-Al_2O_3基熔渣盐酸浸出稀土的研究

REO-SiO_2-Al_2O_3基熔渣盐酸浸出稀土的研究

DOI:
发表时间:2017
2

A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes

A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes

DOI:
发表时间:2016
3

多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能及其在电致发光器件中的应用进展

多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能及其在电致发光器件中的应用进展

DOI:10.1360/TB-2020-1633
发表时间:2021
4

LED强化出光技术研究进展

LED强化出光技术研究进展

DOI:10.6054/j.jscnun.2016.08.001
发表时间:2016
5

圆偏振发光性质的热活化延迟荧光材料及电致发光器件

圆偏振发光性质的热活化延迟荧光材料及电致发光器件

DOI:10.7536/pc210818
发表时间:2022

陈维德的其他基金

批准号:60576004
批准年份:2005
资助金额:7.00
项目类别:面上项目
批准号:69576031
批准年份:1995
资助金额:9.00
项目类别:面上项目
批准号:69976028
批准年份:1999
资助金额:14.20
项目类别:面上项目
批准号:68971031
批准年份:1989
资助金额:3.00
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

掺铒SiOx强室温发光的研究

批准号:69976028
批准年份:1999
负责人:陈维德
学科分类:F0403
资助金额:14.20
项目类别:面上项目
2

掺铒磷酸盐玻璃陶瓷的发光与应用研究

批准号:60778038
批准年份:2007
负责人:宋峰
学科分类:F0509
资助金额:39.00
项目类别:面上项目
3

掺铒氟碲酸盐透明微晶玻璃的3μm发光特性及其自淬灭效应研究

批准号:51302086
批准年份:2013
负责人:陈东丹
学科分类:E0201
资助金额:25.00
项目类别:青年科学基金项目
4

热载流子碰撞激发的硅基掺铒氧化锡电致发光器件

批准号:61704154
批准年份:2017
负责人:徐凌波
学科分类:F0403
资助金额:25.00
项目类别:青年科学基金项目