深亚微米光刻新型光源材料的研究及其应用
基本信息
批准号：50132010
项目类别：重点项目
资助金额：200.00
负责人：沈徳忠
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2001
结题年份：2005
起止时间：2002-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：霍玉晶,李强,沈光球,王晓青,段玉生,张阳,何淑芳,孙同庆
关键词：
硼酸铯锂频率转换深亚微米光刻
结项摘要
通过系统的晶体生长、微观结构分析和性能测试研究阐明CL BO晶体缺陷形成和潮解开裂的微观机制，缺陷对晶体性能的影响，以及克服缺陷和开裂的有效途径，探索出生长高质量大尺寸CL BO单晶的最佳条件和方法。同时，采用CL BO晶体倍频器设计并初步实现全固态深紫外波段较大功率的激光输出，为取代准分子激光器，作为集成电路光刻的新型光源开辟途径。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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