紫外亚微米聚硅烷光刻胶的研究

聚硅烷即主链由Si原子组成的高分子，在UV-EUV区域有强吸收并发生光降解，可作亚微米，深亚微米甚至纳米级光刻胶，是当前光刻胶发展的一个重要方向。在前期工作基础上，用已合成和将合成的不同结构聚硅烷为光敏及抗蚀主组分，配不同类和量添加剂，研究它们对聚硅烷光刻胶综合性能影响规律，为国产高性能聚硅烷光刻胶提供技术积累和基础数据。