准一维半纳米结构的掺杂效应研究
基本信息
批准号：50472024
项目类别：面上项目
资助金额：28.00
负责人：俞大鹏
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：常永勤,张晔,邢英杰,潘晖,宋祎璞,廖志敏,向斌,季航
关键词：
半导体纳米线材料低维物理电子输运光学特性掺杂效应
结项摘要
本项目拟开展半导体纳米线材料的掺杂效应及相关研究。主要研究内容涉及到利用磁性（如Mn、Co、Fe）/非磁性元素（如N、B、P等）原位掺杂制备出各种半导体纳米线材料（例如ZnO、GaN、AlN、Ga2O3）材料；分析掺杂的最佳条件、机理，尤其是可控制掺杂的各种工艺条件；研究由于掺杂引起的材料的发光特性的变化；研究掺杂前后单根纳米线的电子输运特性；研究由于磁性因素掺杂引起的纳米线材料的磁学性能的变化，
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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