准一维纳米材料掺杂改性对电子功能器件性能优化研究

根据当前理论和实验研究结果我们提出了基于纳米碳管为代表的准一维纳米材料异质掺杂模型，充分考虑准一维纳米材料中拓扑缺陷、杂质、及杂质缺陷形成的复合缺陷等实际存在的影响因素，结合实际体系中的电子-电子相互作用、电子-声子声耦合及卷曲效应等系统相互作用，采用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡格林函数数值计算的方法，研究准一维纳米材料中各种实际存在的缺陷、杂质、复合缺陷，及其稳态结构和分布方式分布和电子结构，研究这些缺陷对系统的电子输运特性、光学性能的影响，探究体系电学、光学与其缺陷结构的之间的因果联系，得到体系性能-结构因素间的有效的控制参数体系，使得对基于准一维纳米材料的功能期间研究更加贴近真实存在的实际，期望利用甚至主动引入适当的缺陷结构，构建分子尺度的微型功能器件。