纳米碳管物理性能及其在图象显示技术中的应用研究

基本信息
批准号:59672013
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:俞大鹏
学科分类:
依托单位:北京大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:冯孙齐,徐晓林,黄贵松,施祖进,王晶晶,夏榆
关键词:
新型电子源纳米碳管取向薄膜场发射效应
结项摘要

利用化学方法,实现了纳米碳管99%的提纯和分离;利用湿法镀膜法,获得了纳米量级的岛状膜,并在上面制备成功取向高度一致的取向薄膜;利用纯化的单层纳米碳管,研究了其场发射特性,在很低的阈值电压下获得了极高的发射电流;制备了高亮度场发射发光管;利用激光获得了层数极少的氮化硼纳米管,开拓了纳米管研究的新领域;利用脉冲激光高温沉积法首次获得了直径约12纳米的纳米硅量子线,研究了硅纳米线的显微结构,及一维择优生长机理,并利用缓慢氧化的方法控制其晶态直径,并而研究其量子尺寸限制效应。我们还探索了纳米器件的可能性。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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