硅晶体中3d金属沉淀和稳定性

3d过渡金属在大规模集成电路工艺中的引入，严重影响集成电路的性能和质量，本项目着重研究硅晶体中3d过渡金属（铁，钴，镍）的沉淀性质，以及它们和硅中氧沉淀的关系，并了解金属沉淀的稳定性。本课题以基本完成原先的工作计划，取得了很好的研究成果，清晰地了解3d过渡金属的沉淀性质，提出对金属沉淀影响最主要的是热循环退火工艺中最后一步退火的温度和冷却速度，在3d金属和氧沉淀和关系上，发现铁等金属杂质对氧沉淀有明显作用，特别是研究了微氮硅晶体中铁金属的性质，研究指出金属沉淀是不稳定的，在后续热处理时会部分或全部溶解，本项目的研究成果对大规模集成电路的生产工艺设计有指导作用。