超大规模集成电路（ULSI）用硅材料中杂质和缺陷的基础研究
基本信息
批准号：50032010
项目类别：重点项目
资助金额：130.00
负责人：杨德仁
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2000
结题年份：2004
起止时间：2001-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李立本,马向阳,杨建松,樊瑞新,张锦心,沈益军,李养贤,刘彩池,徐进
关键词：
微观缺陷硅轻元素杂质
结项摘要
超.大.规.模.集.成.电.路.用.硅.材.料.杂.质.和.缺.陷.的.重.要核.心.问.题.是.轻.元.素.氧.氮.氢.杂.质.和.相.关.微.观.缺.陷本.项.目.是.研.究.它.们.在.硅.材.料.中.的.结.构.、.组.成.、微.观.形.态.和.分.布.规.律.，.研.究.其.在.硅.片.制.备.和.集成.电.路.制.造.的.热.处.理.工.艺.中.的.演.变.，.以.及.和.硅材.料.电.??力.学.性.能.的.关.系.，.研.究.硅.中.氧.氮.氢.的相.互.作.用.形.式.，.研.究.??国.独.特.的.微.氮.硅.单.晶.内吸.杂.技.术.，.研.制.UL.SI.用.优.质.硅.材.料.??....
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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