掺氮的重掺砷直拉单晶硅中的氧沉淀和空洞型缺陷的研究

本项目是在有明确的应用背景下而提出的，旨在提高N/N+外延片的内吸杂功能，从而有利于提高集成电路的成品率。项目将生长掺氮的重掺砷直拉硅单晶；研究氮对重掺砷单晶硅原生氧沉淀形成的影响，揭示氮对原生氧沉淀形成有强烈影响的温度范围；研究在不同热处理条件（单步、多步退火）下，特别是在模拟CMOS器件工艺的热循环条件下，掺氮的重掺砷单晶硅的氧沉淀行为及规律；研究氮对重掺砷单晶硅中原生空洞型缺陷（COP）形成的影响，通过与普通的重掺砷单晶硅的比较，揭示氮对重掺砷硅单晶中COP的密度和尺寸分布的影响，并提出其影响机制；研究掺氮的重掺砷单晶硅片的COP在氢气或惰性气氛下高温热处理的消除行为，开发出消除掺氮的重掺砷单晶硅片COP的技术；对利用掺氮的重掺砷硅片作为衬底生长的N/N+外延片的内吸杂能力作出评价。