真空微电子微波三极管的理论与实验研究

在硅场发射方面提出并建立下述模型：表面量子化会使发射电流增大；表面连续能级导致N型硅发射电流振荡；表面态在低场区起作用；本征氧化层中的陷阱是导致发射不稳定性的原因；P型硅表面的耗尽层存在场增强产生。硅场致发射的理论研究对发展硅材料在真空微电子学中的实际应用有重要参考价值。建立了真空微电子微波三极管的电路模型并进行了模拟；用数值方法计算了电容；该方面的研究对真空微电子微波三极管的设计有指导意义。采用硅片直接键合技术制备出性能良好的自封闭二极管；用反向刻蚀和模塑法成功制备出自对准栅场发射阵列，该方面的研究对发展实际真空微电子微波三极管有重要现实意义。