金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究

基本信息
批准号:59772027
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:秦国刚
学科分类:
依托单位:北京大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:段家Qi,张丽珠,张伯蕊,乔永平,李安平,马书懿,孙永科
关键词:
介质膜电致发光
结项摘要

首次实现并深入研究以下阶新的硅基纳米半导体电致发光结构:金/纳米(硅/二氧化硅)超晶格/p-硅,金/纳米(锗/二氧化硅)超晶格/p-硅,金/纳米(二氧化硅/硅/二氧化硅)双势垒单阱/硅(p-硅衬底用于正向发光,而n(+)-硅用于反向发光)和低偏压(10V)下发近紫外(360nm)光的ITO/自然氧化硅/p-硅等结构。上述研究对于提高硅基纳米半导体发光性能,例如提高发光效率、选择发光峰波长,降低工作电压可能有重要作用;对于阐明复杂和有争议的硅基电致发光机制,从而大幅度提高发光性能,可能有重要意义。在国内外重要期刊上发表论文20篇。其中6篇被国外文献引用,共12次。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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