金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究
基本信息
批准号：59772027
项目类别：面上项目
资助金额：8.00
负责人：秦国刚
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：1997
结题年份：2000
起止时间：1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：段家Qi,张丽珠,张伯蕊,乔永平,李安平,马书懿,孙永科
关键词：
硅介质膜电致发光
结项摘要
首次实现并深入研究以下阶新的硅基纳米半导体电致发光结构：金/纳米（硅/二氧化硅）超晶格/p-硅，金/纳米（锗/二氧化硅）超晶格/p-硅，金/纳米（二氧化硅/硅/二氧化硅）双势垒单阱/硅（p-硅衬底用于正向发光，而n（+）-硅用于反向发光）和低偏压（10V）下发近紫外（360nm）光的ITO/自然氧化硅/p-硅等结构。上述研究对于提高硅基纳米半导体发光性能，例如提高发光效率、选择发光峰波长，降低工作电压可能有重要作用；对于阐明复杂和有争议的硅基电致发光机制，从而大幅度提高发光性能，可能有重要意义。在国内外重要期刊上发表论文20篇。其中6篇被国外文献引用，共12次。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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