氮化镓系半导体中对发光有重要影响的杂质缺陷研究

首创用伽玛射线辐照来加强GaN中与氢有关的局域振动吸收，以透射付利叶光谱观测到波数为1730和2960cm（-1）的两上新的与氢有关的局域振动模，分别指认为GaN中邻近N空位的Ga-H和邻近Ga空位的N-H局域振动，用红外掠角反射付利叶光谱代替透射付利叶光谱研究GaN薄膜，大大增加了光程，提高了信噪比，首次观测到GaN中1460cm(-1)振动峰，指认为GaN中CH_2的剪式振动，拉曼光谱研究首次指出C离子注入的GaN中存在石墨结构的C的微晶，在国际上首次制备出C_60/GaN和C_70/GaN异质结，对其电学特性作了深入研究，指出前者的整流比高达10^6，为富勒烯/GaN异质结的可能应用打下了基础。