选择性钨与硅片界面的缺陷生成机制与提高性能质量研究

在国际上首创提出化学蒸汽淀积钨膜工艺中的半封闭结构理论模型，系统阐明了该工艺中一系列奇特现象及其机理。其基本点是：六氟化钨还原是一个逐步反应，五氟化钨、…等低氟化钨为中间物，其性质特别活泼；在半封闭结构区域，如二氧化硅窗口的边缘，自然氧化层针孔下面等，易积累低氟化钨，反应的结果与六氟化钨有很大的差别；在通常低压钨膜淀积中，不可避免地会生成三氟氧钨固体钝化物，它能阻挡六氟化钨的渗透，但不能阻挡低氟化钨。据此纠正了包括著名的IBM实验室等所得出的不正确结论，93年在美国硅谷接连作四次邀请讲座受到欢迎与好评。目前正作为集成电路工艺机理研究的一个范例纳入大学教学中，并将写入专著或教材，并指导工艺改进。