GaN半导体中的残留杂质和本征缺陷
基本信息
批准号：69976023
项目类别：面上项目
资助金额：11.70
负责人：康俊勇
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：1999
结题年份：2002
起止时间：2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黄启圣,沈耀文,张志鹏,余辛,肖细凤
关键词：
残留杂质GaN本征缺陷
结项摘要
用波长色散X光谱分析非掺GaN中残留杂质；用高分辨透射电子显微镜及其能量色散X光谱观烊毕萁峁辜白槌桑挥糜馄撞饬糠⒐馍钅芗叮挥美绽贡浠痪阜纸馍钅芗端蔡蟮酶髦稚钅芗兜募せ钅堋⒎袷评莺褪磕堋Ｓ玫谝辉泶笮统椒Ｄ釭aN中杂质缺陷产生的电子结构变化，尤其是杂质能级在禁带中的相对位置，为提高GaN质量提供依据。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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