半导体及其微结构中杂质和缺陷的局域态研究

基本信息
批准号:69076403
项目类别:面上项目
资助金额:3.00
负责人:钟学富
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1990
结题年份:1993
起止时间:1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:吴汲安,王永良,郭纯英
关键词:
杂质和缺陷局域态半导体
结项摘要

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

带球冠形脱空缺陷的钢管混凝土构件拉弯试验和承载力计算方法研究

带球冠形脱空缺陷的钢管混凝土构件拉弯试验和承载力计算方法研究

DOI:10.14006/j.jzjgxb.2018.0676
发表时间:2021
2

油源断裂输导和遮挡配置油气成藏有利部位预测方法及其应用

油源断裂输导和遮挡配置油气成藏有利部位预测方法及其应用

DOI:10.16509/j.georeview.2021.02.010
发表时间:2021
3

偏正态数据下混合非线性位置回归模型的统计诊断

偏正态数据下混合非线性位置回归模型的统计诊断

DOI:
发表时间:2021
4

树突状表皮T细胞调节小鼠表皮干细胞增殖和分化促进小鼠全层皮肤缺损创面愈合的机制研究

树突状表皮T细胞调节小鼠表皮干细胞增殖和分化促进小鼠全层皮肤缺损创面愈合的机制研究

DOI:10.3760/cma.j.cn501120-20200623-00324
发表时间:2020
5

清洁高效干法选煤研究进展与展望

清洁高效干法选煤研究进展与展望

DOI:
发表时间:2022

钟学富的其他基金

相似国自然基金

1

用ODMR和PDMR研究半导体中的杂质和缺陷

批准号:68676040
批准年份:1986
负责人:付济时
学科分类:F04
资助金额:6.00
项目类别:面上项目
2

半导体中杂质和缺陷的SDIC,SDPC效应及其显微成像研究

批准号:69076419
批准年份:1990
负责人:付济时
学科分类:F0405
资助金额:4.00
项目类别:面上项目
3

GaN半导体中的残留杂质和本征缺陷

批准号:69976023
批准年份:1999
负责人:康俊勇
学科分类:F0405
资助金额:11.70
项目类别:面上项目
4

砷化镓中杂质缺陷态的光谱研究

批准号:68876107
批准年份:1988
负责人:江德生
学科分类:F0401
资助金额:3.00
项目类别:面上项目