HgCdTe材料中杂质和缺陷对其结构和光电子性质的影响

碲镉汞材料主要是通过掺杂来实现材料的应用，如何有效实现p型掺杂存在着大量的关键问题，利用第一性原理的全电子势线性缀加平面波法（FP－LAPW）和赝势平面波法（VASP）开展窄禁带碲镉汞材料的第一性原理模拟，预测As的引入和Hg的替位等缺陷导致的基体晶体结构的畸变，化学键的变化和电荷的转移等对材料光、电子性质的影响。提供As既作为施主又作为受主的两性行为本质，获得As作为p型掺杂取代Te的优化条件。