基于光学校正的超深亚微米IC版图精确设计技术研究
基本信息
批准号：60176015
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：严晓浪
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：史峥,任彧,王国雄,付萍,葛海通,陈志锦
关键词：
集成电路光刻掩膜补偿光学接近矫正
结项摘要
超深亚微米IC生产中的亚波长光刻情况要求在掩模设计中必须使用基于光学校正的掩模补偿技术，本项目研究VDSM IC生产过程中掩模经成像，光刻到片上成型整个过程的面向OPC/PSM的模型描述，模型提取，快速成像和其它OPC/PSM关键算法，以达到为实用化的系统性版图钩ト砑峁┕丶睦砺刍〉哪勘辍
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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