短波长光学器件的巨大应用潜力,使采用新兴紫外光电材料ZnO制作蓝色、紫外光电器件成为热门研究课题。但是非常完整的ZnO单晶薄膜很难获得,由于晶粒边界和缺陷的存在,大大增加了非辐射复合跃迁几率,加之p型掺杂技术还并不成熟,ZnO基紫外激光器仍无法实现。本课题提出,利用纳米结构材料晶体完整等独特优势,采用ZnO纳米线制作电注入纳米激光器阵列。通过我们自行发明研究的掺杂夹层薄膜p型掺杂方法生长ZnO纳米线,这种工艺方法既能实现ZnO纳米线的诱导生长,又能解决p型掺杂问题,同时利用硅油类有机物实现纳米线侧表面钝化及线间良好的绝缘填充,研制ZnO纳米激光器阵列原型器件。为ZnO紫外激光器的研制开辟一条新的途径,促进ZnO材料在光电子学研究领域的快速发展和广泛应用。
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数据更新时间:2023-05-31
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