ZnO纳米线材料电致紫外激光发射性能与器件研究

短波长半导体激光器在光通讯、超高密度信息存储和高分辨显微探针等诸多领域具有良好的应用前景。ZnO半导体在紫外光发射方面极具潜力，新近发展起来的纳米线结构ZnO更因其特殊的几何形貌及完善的晶体结构，被认为是一种较GaN材料性能更为优异的短波长激光发射材料。本项目拟在引入同质/异质结和对ZnO纳米线进行p型掺杂的基础上，对ZnO纳米线材料的电致紫外激光发射特性及相关器件进行研究。电场或电流激励方式克服了当前国际上该种材料受激发射必须要以Nd:YAG激光器三次谐波作为泵浦光源的不足，是推动ZnO纳米线材料在光电子器件领域得以实际应用的基本要求。研究目标是在已实现ZnO纳米线电致荧光发射的工作基础上，进一步提高量子效率并构造成功基于ZnO纳米线的能够在室温环境下稳定工作的近紫外激光发射器件原型。创新之处在于提出了利用电驱动方式实现ZnO纳米线材料紫外激光发射的科学构想，并设计了切实可行的研究方案。