4H-碳化硅纳米晶薄膜的制备及其紫外光发射研究
基本信息
批准号：69876033
项目类别：面上项目
资助金额：13.90
负责人：杨碚芳
学科分类：
依托单位：中国科学技术大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：阮耀钟,傅正平,刘如川,李明,张辉
关键词：
紫外光发射4H碳化硅纳米晶薄膜
结项摘要
本项目拟用短程结构与4H-SiC相似的纳米无机硅化物为硅源，将它分散在有机液体（作为碳源）中，再沉积在单晶硅或其它衬底上，经化学热解，制得4H-SiC纳米晶薄膜，研究其发光特性，旨在制得稳定性好、发光强度高的紫外发光薄膜。该主法和这种发紫外光的SiC纳米П∧ぞ醇ǖ馈Ｕ舛曰⊙芯浚翱⒕哂幸煨阅艿亩滩ǔす獾缱悠骷加兄匾庖濉
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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