纳米碳化硅薄膜的制备、稀土掺杂及光电发射特性
基本信息
批准号：10074049
项目类别：面上项目
资助金额：19.00
负责人：刘技文
学科分类：
依托单位：天津理工大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王治,陈民芳,赵捷,白雪冬,姚裕贵,马旭村,钟定永
关键词：
纳米碳化硅薄膜稀土掺杂光电发射
结项摘要
采用射频磁控溅射随后退火或衬底原位加热制备纳米米晶及稀土掺杂纳米晶碳化硅薄膜，研究生长机理、纳米尺度、微结构和界面效应、掺杂种类和密度影响光发射和场发射的规律，通过改变以上条件，消除光发射温度猝灭效应，提高蓝光发射效率；调整电子亲和势，使其具有低阈值、强场发射特性，为发光器件、激光器件和平板显示开拓全新的半导体材料。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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