随着电子电信技术的发展,在各种电子电路的应用中,迫切需要室温电阻率低,同时具有高电阻率突跳幅度的正温度系数电阻(PTCR)陶瓷,但传统的生产工艺不稳定,很难同时满足这两项要求。本项目以施主掺杂钛酸钡(BaTiO3)陶瓷作为研究对象,首先在强还原气氛下烧结高施主掺杂浓度的BaTiO3陶瓷,随后在低氧分压下再氧化过程中重新形成晶界势垒。通过自行设计的氧流量计研究再氧化过程中氧的变化行为,重点研究在从还原到氧化过程中陶瓷晶界显微结构和各种电性能的变化。揭示陶瓷晶界性能(势垒高度、受主态密度、耗尽层厚度)与再氧化过程中的缺陷化学和晶界显微结构变化之间的内在规律。利用还原后再氧化工艺,可得到目前生产工艺中不可能得到的材料,即既为粗细晶粒、又有低电阻率、高耐压和电阻突跳幅度的PTCR材料。同时为制备出在低氧分压下烧结的高性能贱金属电极的多层陶瓷电容器(MLCC)提供理论支持。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
肥胖型少弱精子症的发病机制及中医调体防治
中温固体氧化物燃料电池复合阴极材料LaBiMn_2O_6-Sm_(0.2)Ce_(0.8)O_(1.9)的制备与电化学性质
神经退行性疾病发病机制的研究进展
施用生物刺激剂对空心菜种植增效减排效应研究
组蛋白去乙酰化酶在变应性鼻炎鼻黏膜上皮中的表达研究
平衡态法对受主掺杂在钛酸钡晶界处偏析机理的研究
氧化铈基纳米功能陶瓷的晶界设计与电性能研究
多组元共掺杂TiO2陶瓷晶界偏析及晶界势垒结构研究
稀土金属掺杂刚玉陶瓷晶界的第一性原理研究