InP HBT双自对准转移衬底方法研究
基本信息
批准号：60676046
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：夏洋
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：于进勇,陈晓娟,梁晓新,程伟
关键词：
双自对准转移衬底异质结双极型晶体管（HBT）
结项摘要
现代数字通讯、仪器设备及毫米波通讯系统要求各种功能芯片工作在直流到100GHz的频率范围内，这些都要求开发几百GHz的晶体管。InP HBT由于具有散热性好、工作频率高、阈值电压低的特点，成为几百GHz晶体管的主要选择之一。双自对准转移衬底方法有效的克服InP HBT集电极宽度受到的限制，极大的降低集电结寄生电容和基极寄生电阻，是将InP HBT的截止频率提高到1000GHz以上的关键技术，同时该
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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