亚50纳米凹槽自对准双栅MOS器件研究
基本信息
批准号：60176010
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：徐秋霞
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：殷华湘,孙宝刚,周锁京,丁明正,于雄飞,杨雪莹,郝秋华,赵玉印,柴淑敏
关键词：
亚50纳米新结构双栅MOS器件
结项摘要
研究亚50纳米的新结构MOS器件。创新提出可实际制作的凹槽自对准双栅器件结构，运用100纳米的刻印技术实现实际栅长为亚50纳米的MOS器件，并可应用于金属栅结构。在双极器件亩捞卦诵谢砩希淦骷阅?面积比比0.1微米平面MOS管有很大提高。同时研究相关的特殊工艺技术，包括三维薄栅氧化与多层复合膜刻蚀等。最终提取电学参数，建立适用于本结构的器件模型。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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