亚50纳米凹槽自对准双栅MOS器件研究
基本信息
批准号：60176010
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：徐秋霞
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：殷华湘,孙宝刚,周锁京,丁明正,于雄飞,杨雪莹,郝秋华,赵玉印,柴淑敏
关键词：
亚50纳米新结构双栅MOS器件
结项摘要
研究亚50纳米的新结构MOS器件。创新提出可实际制作的凹槽自对准双栅器件结构，运用100纳米的刻印技术实现实际栅长为亚50纳米的MOS器件，并可应用于金属栅结构。在双极器件亩捞卦诵谢砩希淦骷阅?面积比比0.1微米平面MOS管有很大提高。同时研究相关的特殊工艺技术，包括三维薄栅氧化与多层复合膜刻蚀等。最终提取电学参数，建立适用于本结构的器件模型。
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
演化经济地理学视角下的产业结构演替与分叉研究评述
演化经济地理学视角下的产业结构演替与分叉研究评述
DOI：10.15957/j.cnki.jjdl.2016.12.031
发表时间：2016
2
基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究
基于一维TiO2纳米管阵列薄膜的β伏特效应研究
DOI：10.7498/aps.67.20171903
发表时间：2018
3
基于ESO的DGVSCMG双框架伺服系统不匹配 扰动抑制
基于ESO的DGVSCMG双框架伺服系统不匹配 扰动抑制
DOI：
发表时间：2018
4
双吸离心泵压力脉动特性数值模拟及试验研究
双吸离心泵压力脉动特性数值模拟及试验研究
DOI：10.13465/j.cnki.jvs.2020.19.016
发表时间：2020
5
惯性约束聚变内爆中基于多块结构网格的高效辐射扩散并行算法
惯性约束聚变内爆中基于多块结构网格的高效辐射扩散并行算法
DOI：10.19596/j.cnki.1001-246x.8419
发表时间：2022
徐秋霞的其他基金
批准号：60576032
批准年份：2005
资助金额：26.00
项目类别：面上项目
批准号：60776030
批准年份：2007
资助金额：36.00
项目类别：面上项目
批准号：60276022
批准年份：2002
资助金额：30.00
项目类别：面上项目
相似国自然基金
1
纳米级自对准双栅CMOS器件的结构和工艺研究
批准号：60276022
批准年份：2002
负责人：徐秋霞
学科分类：F04
资助金额：30.00
项目类别：面上项目
2
亚50纳米金属栅体硅多栅CMOS器件及关键技术研究
批准号：60576032
批准年份：2005
负责人：徐秋霞
学科分类：F0406
资助金额：26.00
项目类别：面上项目
3
深亚微米双极型器件自隔离自对准技术研究
批准号：69176020
批准年份：1991
负责人：高士平
学科分类：F0406
资助金额：5.00
项目类别：面上项目
4
硅基InGaAs双栅MOS器件及可靠性研究
批准号：61674168
批准年份：2016
负责人：刘洪刚
学科分类：F0405
资助金额：60.00
项目类别：面上项目