氮化物半导体子带带间红外发光性质的研究

氮化物半导体子带带间红外激射发光性质的研究主要实现：1)材料AlGaN(或者InGaN)和GaN的物理性质的研究，尤其对它们的子带带间吸收和激射发光特性，材料的生长沿c轴，缓冲层用GaN, 对多重量子阱进行n型重掺杂；2)设计AlGaN/GaN多重量子阱结构，利用材料比较大的导带带阶和压电效应，实现导带带间3能级或者4能级系统，可以实现粒子数的反转，量子阱与超晶格间的耦合实现阱间的电子传输；3)通过自洽计算，设计量子阱宽度和势壘宽度，希望能够实现在近红外到中远红外的激射发光。这个研究实现对材料发光波长的剪裁，具有很好的应用前景，如在无线通信，卫星信号的传递，光传感器，红外探测器，医用成象系统和其它光电子器件等领域。