氮化镓半导体低维结构中子带间集体激发过程的研究

氮化镓半导体低维结构中子带间集体激发问题，涉及面广，理论和实验内容丰富，而且具有广泛的应用前景，因此，开展对这类问题的研究具有重要的科学意义。目前，人们对这类问题的研究处于初级阶段，有许多科学问题值得研究，本项目主要研究如下问题： .1）对氮化镓半导体多量子阱和量子点子带结构进行红外光谱和Raman散射谱测量，比较不同温度和有无磁场的条件下，光谱谱线的差异，从中分析子带间和子带内的等离子激元集体激发和单粒子激发特征；2）基于有效质量理论，用有限元方法计算多量子阱和量子点子带结构和波函数；3）用随机位相近似（RPA）研究半导体子带间和子带内等离子激元集体激发和单粒子激发问题；4）研究氮化镓低维结构的子带间THz光辐射与等离子激元集体激发之间的耦合，确定子带间THz光辐射和集体激发之间的关系。

氮化镓半导体低维结构中子带间集体激发问题，研究取得如下成果：.1）对氮化镓半导体多量子阱和量子点子带结构进行红外光谱和Raman散射谱测量，比较不同温度和有无磁场的条件下，光谱谱线的差异，分析子带间和子带内的等离子激元集体激发和单粒子激发特征；.2）基于有效质量理论，用有限元方法计算多量子阱, 量子点和异质结构的子带结构和波函数；.3）用随机位相近似（RPA）研究半导体子带间和子带内等离子激元集体激发和单粒子激发问题；.4）研究了氮化物异质结中的电子输运问题，给出异质结中二维电子气的集体激发和电子输运的关系；.5）2010年至2012年共发表SCI论文6篇，其中Applied Physics Letters 2篇。