针对下一代计算机硬盘(采用垂直磁记录技术)盘基片、集成电路硅衬底、芯片等材料表面原子级粗糙度和无损伤的加工要求,以及现有化学机械抛光(CMP)技术中存在的问题,提出研制以特殊结构及形状的有机大分子取代传统无机磨粒的抛光液体系,并研究其在CMP过程中的抛光特性和机理。通过综合考虑抛光液特性、抛光垫特性、抛光工艺参数以及被抛光材料特性等的相互作用和关系,以流体力学、界面化学、摩擦化学等原理为基础,建立
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数据更新时间:2023-05-31
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