运用固体物理对称性基本原理和原子间相互作用的化学物理性质,确立直接带隙硅基新材料的计算设计原理。对已有初步结果的硅/VI族原子插层超晶格进行计算设计,然后推广或寻找其它体系。给出若干具有光发射能力的硅基新材料。本项研究对于促进硅微电子与光电子的成功集成具有特别重大意义。在学术上将为开展材料的计算设计提供新方法。
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数据更新时间:2023-05-31
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