锑化镓及其固溶体的MOVPE热力学分析与生长

本项目是以化学热力学为工具对化合物半导体有机金属气相外延过程进行分析，计算生长温度、反应室压力、反应剂浓度、V/Ⅲ或Ⅵ/Ⅱ比等可控制实验条件与气、固相组分之间的关系，从而建立实验条件与半导体固相之间的联系并对其过程有更深入的理解。首次计算了GaSb中点缺陷浓度与生长温度的V/Ⅲ比之间的关系，在实验上利用国产TMGa和TMSb生长出低空穴浓度、高穴迁移率的外延层，其77K迁移率高达5076cm（2）/Vs。首次解释了低汞压直接合金法在控制HgCdTe合金组分的优点是由于降低了 Ⅱ/Ⅵ比。首次计算了ZnS、ZnSe、ZnTe和ZnSeTe的MOVPE生长相图，该相图指出了上述化合物及固溶体单相区的生长条件。这些工作已经济在国内外产生了一定影响。