用于高效率光电池的锑化镓单晶及其性质研究
基本信息
批准号：69176008
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：叶式中
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：1991
结题年份：1994
起止时间：1992-01-01 - 1994-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：焦景华,佘辉,曹惠梅,孙文荣,金盾
关键词：
***
结项摘要
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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