CALPHAD技术与精确实验相结合研究了Ni—SS—Ga(In)系相图和热力学性质,选择了能马ⅢA/VA族半导体化合物热力学稳定共存的镍基金属间化合物。X射线衍射、EPMA、热学分析等手段测定Ga-Ni系及Ni-Sb-Ga系固线下相关系,确定化合物的晶体结构;等蒸汽压法测定Ni-Sb-In条图相Sb组元活度;评估和优化了Ga-M(M=In,Sb,Pb)二元系热力学性质和相图,并得到热力学自洽的结果;计算了Ga-In-Sb三元系相图,与实验测定值吻合甚好。研究结果表明,在所研究温度范围内,化合物GaNi、Ga9Ni13、Ga3Ni5和GaNi3可与三元化合物Ni3GaSb达到热力学稳定共存;600℃时三相区内,化合物GaNi与GaSb能达到平衡共存。上述结论,为镍基金属接触材料的研制提供重要的热力学依据。
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数据更新时间:2023-05-31
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