室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究

本项目研究响应波段在1.0-2.4μm的InGaAs材料及短波红外线列焦平面。在材料方面，研究与InP晶格匹配的InGaAs的大面积外延生长和材料均匀性的表征，着重研究响应波长延伸到2.4μm的高In组分InGaAs的材料制备技术，减少晶格失配引起的缺陷，获得具有优良光学性能和电学性能的大面积均匀InGaAs材料；着重研究InGaAs短波红外焦平面器件的关键技术基础，解决器件的暗电流和低频噪声、低背景下的电子学读出技术、焦平面的封装技术和航天工作可靠性物理等问题。本研究有利于实现我国短波红外系统核心元器件的自主研发，为研制中大规模短波红外焦平面奠定理论基础和解决关键技术。本项目的完成，将使我国1.75μm和2.4μm新型短波红外航天遥感仪器以及短波红外光谱仪和红外干涉光谱仪采用国产核心器件成为可能。