微晶碳化硅中铒室温发光的研究

本申请拟以宽带隙碳化硅晶体作基质，在理论上研究铒氧复合缺陷能级态密度分布，在实验上研究铒氧共注，铒的室温光致发光和电致发光。并在此研究基础上，转入以单晶硅注碳，经高温退火形成的微晶碳化硅为基质的铒氧共注，铒室温发光的研究。这一研究是硅基发光材料的扩展，实现途径与光电集成工艺相容。对实现全硅化光电集成具有重要意义。