在ULSI中互连延迟已成为制约集成电路速度的主要因素,减小互连延迟是未来SOC工艺发展的关键之一。采用低介电常数介质可以有效降低互连延迟,然而低介电常数介质通常机械性能较弱,进而引起电路互连的失效。本项目针对SiOC低介电常数介质在铜互连工艺中应用存在的问题,研究紫外辐射和等离子体处理对其结构和性能的改进机理,以及改性后低介电常数介质和超薄扩散阻挡层的界面反应。通过控制处理的工艺条件,揭示紫外辐射
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数据更新时间:2023-05-31
萃取过程中微观到宏观的多尺度超分子组装 --离子液体的特异性功能
扩散张量成像对多发性硬化脑深部灰质核团纵向定量研究
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LTNE条件下界面对流传热系数对部分填充多孔介质通道传热特性的影响
单狭缝节流径向静压气体轴承的静态特性研究
低介电常数、低杨氏模量介质材料在三维垂直互连中的应用探索
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多孔低介电常数薄膜制备及其表面等离子增强保护和热机械性能研究
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