超大规模集成电路中低介电常数介质与铜的相互作用

用等离子体增强的化学气相淀积技术制备低介电常数的硅氧氟和硅碳氧氟薄膜，研究金属铜互连在它们中的扩散行为，以及用Ta、Ti、TiN和TaN等薄膜作为扩散阻挡层时，低介电常数介质、阻挡层和铜互连三者之间的相互作用机理。本项研究对超大规模集成电路中铜/低k介质互连结构的实现具有重要意义，并且适应我国集成电路制造技术发展的需要。