P-HEMT用InGaAs/GaAs多层异质结构MBE材料的研究
基本信息
结项摘要
P-HEMT用InGaAs/GaAs多层异质结构MBE材料的研制。经三年多的努力，已圆满完成基金资助项目的研究计划。采用MBE方法，研制出高质量的GaAs基P-HEMT材料，其材料的不均匀性ф2英寸≤±5%，室温二维电子气浓度лs>1.5×10(12)cm(-2)，电子迁移率μ>6000cm(2)/V.S等各项指标均已达到予期计划。该指标居国内领先水平，本研究中还提高了异质结材料的完整性、重复性、实用性等。并初步形成小批量生产能力。本课题研究的特色是：（1）在缓冲层中加入超晶格，以阻止衬底的位错延伸到外延层；（2）适当调整超晶格的厚度和位置，以提高材料的性能。该成果具有重要的社会效益，促进有关器件研制单位所承担的器件任务顺利完成，为产业化奠定了基础。本课题研究中，还撰写了一篇论文报告正待发表。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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