InGaAs表面相变过程的MBE/STM研究

InGaAs广泛地应用于光电子学，超高频特高频电子学和通信技术中，是一种重要的化合物半导体材料。化合物半导体材料的制备通常采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)或金属有机化合物气相沉积法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）。在InGaAs材料的生长过程中，通过改变生长或退火处理条件可使材料表面形貌发生变化（表面发生了相变）。材料的表面形貌对其物理性质以及器件的性能有着重要的影响。本研究主要采用分子束外延技术和扫描隧道显微镜技术(Scanning Tunneling Microscope，STM) 获得对InGaAs材料在不同生长或退火处理条件下的表面形貌以及相变过程的全面认识并以此指导InGaAs材料的生长，改善器件性能。