本课题主要是围绕在GaAs衬底上实现光通信用长波长激光器这一目的,开展GaAs基量子结构材料应变分布及光电特性的研究。侧重对异变异质结构、应变减少层、应变补偿层等最新技术手段的应用对量子点内部应变分布的影响以及量子点的电子结构和发光波长的计算。利用连续弹性理论和原子势函数法计算不同材料体系的应变场分布;用八带kp微扰法分析量子结构材料的能带结构。提供优化的量子结构材料,实现GaAs基1.55微米长
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数据更新时间:2023-05-31
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