电压门控型Ca2+通道在黑质铁聚积及多巴胺能神经元死亡中的作用研究

帕金森病（PD）发病过程中铁选择性的聚积在黑质内是黑质多巴胺（DA）能神经元变性死亡的主要原因之一，但铁选择性聚积在黑质区的机制还不清楚。最近的研究表明，电压门控型Ca2+通道（VGCC）介导的铁转运过程可能是铁进入细胞的重要途径之一，但目前我们对VGCC在脑铁代谢中的作用还知之甚少。为阐明黑质区铁选择性聚积及造成DA能神经元死亡的可能原因，本课题拟应用膜片钳全细胞记录、分子生物学及离子成像等研究方法，在葡聚糖铁铁负载大鼠、6-OHDA制备的PD大鼠和MPTP制备的PD小鼠模型上，观察VGCC和铁选择性聚积及DA能神经元损伤的关系。在DA能神经元上，观察VGCC介导的铁转运过程；并在DA能MES23.5细胞上高表达L型Ca2+通道，观察细胞的摄铁情况改变。本课题将对了解黑质内铁选择性聚积的原因提供实验依据，对了解VGCC参与高铁相关的神经退行性疾病发病过程中铁选择性聚积的机制提供资料。