基于二元决定图集成逻辑的Si基纳电子器件集成研究

Si基微电子学是当今年微电子产业和信息技术的基础，但传统的Si基微电子技术正越来越面临着技术发展的瓶颈。人们普遍预期，在本世纪初、中期，基于某些新原理新架构工作的新型器件将会逐渐地"取代"传统器件。纳米电子器件(nano-scale electronic devices)作为基于量子力学原理工作的新型器件，代表了新器件发展的趋势和方向之一，是目前最为活跃的研究领域。本项目拟利用SOI (Silicon on oxide)衬底及低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)生长)，结合电子束暴光、高精度干法刻蚀等微纳加工技术及成熟的Si工艺处理技术，生长并制备Si基纳电子器件并着重利用二元决定图逻辑理论实现这些纳电子器件的集成。这项研究为探索实现纳电子器件集成提供前瞻性的研究。